半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510724683.3

申请日：

2025-05-30

公开(公告)号：

CN120390420A

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

严强生崔燕雯

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/65

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250530
2025-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

蒋兴教 ;

陈政 ;

郭晨浩 .

中国专利 :CN114864479A ,2022-08-05

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

张权 ;

姚兰 ;

周璐 .

中国专利 :CN114175232A ,2022-03-11

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

严强生 ;

崔燕雯 .

中国专利 :CN120264794A ,2025-07-04

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

张权 ;

姚兰 ;

周璐 .

中国专利 :CN114175232B ,2025-10-10

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

王鹏鹏 ;

袁海江 ;

杨勇胜 ;

林仲强 .

中国专利 :CN118248646A ,2024-06-25

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

彭康 ;

王维安 ;

杨宗凯 ;

陈信全 ;

王海萍 .

中国专利 :CN119132935B ,2025-03-14

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

彭康 ;

王维安 ;

杨宗凯 ;

陈信全 ;

王海萍 .

中国专利 :CN119132935A ,2024-12-13

[8]

半导体器件的制作方法 [P].

宋化龙 ;

蒲月皎 .

中国专利 :CN106158720A ,2016-11-23

[9]

高压半导体器件及其制作方法 [P].

程亚杰 .

中国专利 :CN113745161A ,2021-12-03

[10]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

尹卓 ;

李智睿 .

中国专利 :CN109755247A ,2019-05-14

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