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高压半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111038948.2
申请日：
2021-09-06
公开(公告)号：
CN113745161A
公开(公告)日：
2021-12-03
发明(设计)人：
程亚杰
申请人：
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H01L218234
IPC分类号：
H01L21336
H01L21762
H01L2978
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-03 | 公开 | 公开 |
| 2021-12-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20210906 |