半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910935205.1

申请日：

2019-09-29

公开(公告)号：

CN110534499B

公开(公告)日：

2019-12-03

发明(设计)人：

胡华薛广杰曹开玮李赟

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L23552 H01L21768

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	授权	授权
2019-12-03	公开	公开
2019-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/532 申请日:20190929

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗清威 ;

李赟 ;

周俊 ;

付卫国 ;

梁富堂 ;

叶蕤 .

中国专利 :CN108766933A ,2018-11-06

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN114843189A ,2022-08-02

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN114927465A ,2022-08-19

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

向长虎 .

中国专利 :CN114678279A ,2022-06-28

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡敏达 ;

周俊卿 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102543845A ,2012-07-04

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘恩铨 ;

杨智伟 ;

黄志森 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN111653483A ,2020-09-11

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

谢志勇 .

中国专利 :CN105990111A ,2016-10-05

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

杨星梅 ;

冯冠松 ;

薛磊 ;

王健舻 ;

曾明 ;

曾凡清 .

中国专利 :CN112259545B ,2021-01-22

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘恩铨 ;

杨智伟 ;

黄志森 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN106206270A ,2016-12-07

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13

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