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深沟槽隔离结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410741831.8
申请日：
2024-06-07
公开(公告)号：
CN118610156A
公开(公告)日：
2024-09-06
发明(设计)人：
雷敏
廖黎明
范永
仇峰
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/764
IPC分类号：
H01L21/762
代理机构：
上海隆天律师事务所 31282
代理人：
夏彬
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-09-06 | 公开 | 公开 |
| 2024-09-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/764申请日:20240607 |