深沟槽隔离结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810239597.3

申请日：

2018-03-22

公开(公告)号：

CN109817696B

公开(公告)日：

2019-05-28

发明(设计)人：

S·M·尚克 D·沃恩 T·段

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

李峥;于静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20180322
2019-05-28	公开	公开
2022-06-07	授权	授权
2020-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20201202 变更事项:申请人变更前权利人:格芯公司变更后权利人:格芯美国公司变更事项:地址变更前权利人:开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州

共 50 条

[1]

偏置深沟槽隔离 [P].

郑源伟 ;

陈刚 ;

毛杜立 ;

戴森·H·戴 ;

马毅 .

中国专利 :CN107195644B ,2017-09-22

[2]

形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构 [P].

郭富强 ;

陈盈薰 ;

郭仕奇 ;

李宗宪 .

中国专利 :CN106601673A ,2017-04-26

[3]

深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构 [P].

周成 .

中国专利 :CN118866808A ,2024-10-29

[4]

深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构 [P].

周成 .

中国专利 :CN118866808B ,2024-12-10

[5]

带分段深沟槽的深沟槽隔离 [P].

B·胡 ;

Y·邵 ;

J·K·艾瑞诗 .

中国专利 :CN114497175A ,2022-05-13

[6]

深沟槽隔离结构及其制作方法 [P].

雷敏 ;

廖黎明 ;

范永 ;

仇峰 .

中国专利 :CN118610156A ,2024-09-06

[7]

深沟槽隔离结构的制备方法 [P].

唐念 ;

刘文虎 ;

张青 ;

张拥华 ;

李荷莉 .

中国专利 :CN116487320B ,2024-01-30

[8]

深沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

王俊杰 .

中国专利 :CN120767247A ,2025-10-10

[9]

具有深沟槽耗尽和隔离结构的开关 [P].

S·M·尚克 ;

A·K·斯塔珀 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

T·段 .

中国专利 :CN108987462B ,2018-12-11

[10]

深沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构 [P].

单铎 ;

张志刚 .

中国专利 :CN111834287A ,2020-10-27

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