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形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610720080.7
申请日
:
2016-08-25
公开(公告)号
:
CN106601673A
公开(公告)日
:
2017-04-26
发明(设计)人
:
郭富强
陈盈薰
郭仕奇
李宗宪
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L2182
IPC分类号
:
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-04-26
公开
公开
2019-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/82 申请日:20160825
2021-06-01
授权
授权
共 50 条
[1]
深沟槽隔离结构
[P].
S·M·尚克
论文数:
0
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0
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0
S·M·尚克
;
D·沃恩
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D·沃恩
;
T·段
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T·段
.
中国专利
:CN109817696B
,2019-05-28
[2]
带分段深沟槽的深沟槽隔离
[P].
B·胡
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0
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0
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0
B·胡
;
Y·邵
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0
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0
Y·邵
;
J·K·艾瑞诗
论文数:
0
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J·K·艾瑞诗
.
中国专利
:CN114497175A
,2022-05-13
[3]
深沟槽隔离结构及其形成方法
[P].
赖志育
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赖志育
;
周正贤
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周正贤
;
蔡正原
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蔡正原
;
江彦廷
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0
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江彦廷
;
杜友伦
论文数:
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0
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杜友伦
.
中国专利
:CN106486506A
,2017-03-08
[4]
深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
[P].
周成
论文数:
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
周成
.
中国专利
:CN118866808A
,2024-10-29
[5]
深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
[P].
周成
论文数:
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
周成
.
中国专利
:CN118866808B
,2024-12-10
[6]
深沟槽隔离及其形成方法
[P].
周正贤
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周正贤
;
曾晓晖
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曾晓晖
;
赖志育
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赖志育
;
周世培
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周世培
;
江彦廷
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江彦廷
;
蔡敏瑛
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蔡敏瑛
.
中国专利
:CN106486412A
,2017-03-08
[7]
深沟槽隔离结构的制备方法
[P].
唐念
论文数:
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
唐念
;
刘文虎
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
刘文虎
;
张青
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0
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
张青
;
张拥华
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
张拥华
;
李荷莉
论文数:
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
李荷莉
.
中国专利
:CN116487320B
,2024-01-30
[8]
深沟槽隔离结构及其制造方法
[P].
王俊杰
论文数:
0
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0
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
王俊杰
.
中国专利
:CN120767247A
,2025-10-10
[9]
偏置深沟槽隔离
[P].
郑源伟
论文数:
0
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郑源伟
;
陈刚
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陈刚
;
毛杜立
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毛杜立
;
戴森·H·戴
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戴森·H·戴
;
马毅
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马毅
.
中国专利
:CN107195644B
,2017-09-22
[10]
一种深沟槽隔离结构的形成方法
[P].
郭哲劭
论文数:
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0
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
郭哲劭
;
林智伟
论文数:
0
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
林智伟
.
中国专利
:CN117976683A
,2024-05-03
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