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深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411328600.0
申请日：
2024-09-24
公开(公告)号：
CN118866808A
公开(公告)日：
2024-10-29
发明(设计)人：
周成
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H01L21/3205
H01L23/60
代理机构：
上海汉之律师事务所 31378
代理人：
林安安
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
天津市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20240924 |
| 2024-12-10 | 授权 | 授权 |
| 2024-10-29 | 公开 | 公开 |