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带分段深沟槽的深沟槽隔离
被引:0
申请号
:
CN202111219226.7
申请日
:
2021-10-20
公开(公告)号
:
CN114497175A
公开(公告)日
:
2022-05-13
发明(设计)人
:
B·胡
Y·邵
J·K·艾瑞诗
申请人
:
申请人地址
:
美国德克萨斯州
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L21762
代理机构
:
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245
代理人
:
徐东升
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-13
公开
公开
共 50 条
[1]
形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构
[P].
郭富强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭富强
;
陈盈薰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈盈薰
;
郭仕奇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭仕奇
;
李宗宪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李宗宪
.
中国专利
:CN106601673A
,2017-04-26
[2]
偏置深沟槽隔离
[P].
郑源伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑源伟
;
陈刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈刚
;
毛杜立
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
毛杜立
;
戴森·H·戴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
戴森·H·戴
;
马毅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马毅
.
中国专利
:CN107195644B
,2017-09-22
[3]
深沟槽隔离结构
[P].
S·M·尚克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
S·M·尚克
;
D·沃恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
D·沃恩
;
T·段
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
T·段
.
中国专利
:CN109817696B
,2019-05-28
[4]
深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
[P].
周成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
周成
.
中国专利
:CN118866808A
,2024-10-29
[5]
深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
[P].
周成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
周成
.
中国专利
:CN118866808B
,2024-12-10
[6]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
胡君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
段文婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
房子荃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
房子荃
.
中国专利
:CN118943076A
,2024-11-12
[7]
深沟槽隔离结构的制备方法
[P].
唐念
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
唐念
;
刘文虎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
刘文虎
;
张青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
张青
;
张拥华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
张拥华
;
李荷莉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
李荷莉
.
中国专利
:CN116487320B
,2024-01-30
[8]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
李娜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李娜
.
中国专利
:CN109166817A
,2019-01-08
[9]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
吴尚泽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
吴尚泽
;
马健
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
马健
;
胡君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
段文婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
令海阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
令海阳
.
中国专利
:CN119943749A
,2025-05-06
[10]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
吴尚泽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
吴尚泽
;
马健
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
马健
;
胡君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
段文婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
令海阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
令海阳
.
中国专利
:CN119943749B
,2025-12-09
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