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深沟槽隔离的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510105517.5
申请日：
2025-01-23
公开(公告)号：
CN119943749B
公开(公告)日：
2025-12-09
发明(设计)人：
吴尚泽
马健
胡君
段文婷
令海阳
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H01L21/763
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
刘昌荣
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-09 | 授权 | 授权 |
| 2025-05-06 | 公开 | 公开 |
| 2025-05-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20250123 |