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BSI工艺深沟槽隔离制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010780590.X
申请日
:
2020-08-06
公开(公告)号
:
CN112038359A
公开(公告)日
:
2020-12-04
发明(设计)人
:
赵春山
康柏
张武志
曹亚民
周维
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L27146
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
焦天雷
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-22
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20200806
2020-12-04
公开
公开
共 50 条
[1]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
胡君
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
段文婷
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
房子荃
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
房子荃
.
中国专利
:CN118943076A
,2024-11-12
[2]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
李娜
论文数:
0
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李娜
.
中国专利
:CN109166817A
,2019-01-08
[3]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
吴尚泽
论文数:
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
吴尚泽
;
马健
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
马健
;
胡君
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
段文婷
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
令海阳
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
令海阳
.
中国专利
:CN119943749A
,2025-05-06
[4]
深沟槽隔离的制造方法
[P].
吴尚泽
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
吴尚泽
;
马健
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
马健
;
胡君
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
段文婷
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
令海阳
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
令海阳
.
中国专利
:CN119943749B
,2025-12-09
[5]
深沟槽隔离及其制造方法
[P].
段文婷
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
胡君
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
房子荃
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
房子荃
.
中国专利
:CN119108412A
,2024-12-10
[6]
深沟槽隔离结构的制造方法
[P].
张祥
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张祥
;
田野
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
田野
;
陈天
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈天
;
王黎
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王黎
;
陈华伦
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈华伦
.
中国专利
:CN120015692A
,2025-05-16
[7]
深沟槽隔离结构及其制造方法
[P].
王俊杰
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
王俊杰
;
蔡莹
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
蔡莹
;
朱兆强
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
朱兆强
;
金锋
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
金锋
.
中国专利
:CN116230653B
,2025-10-28
[8]
深沟槽隔离结构及其制造方法
[P].
马健
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
马健
;
胡君
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
段文婷
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
陈云骢
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
陈云骢
;
令海阳
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
令海阳
.
中国专利
:CN118866809A
,2024-10-29
[9]
深沟槽隔离结构及其制造方法
[P].
王俊杰
论文数:
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
王俊杰
.
中国专利
:CN120767247A
,2025-10-10
[10]
深沟槽隔离结构及工艺方法
[P].
段文婷
论文数:
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
段文婷
;
胡君
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
胡君
;
陈云骢
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
陈云骢
;
令海阳
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
令海阳
;
刘冬华
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
刘冬华
;
钱文生
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
钱文生
.
中国专利
:CN119495631A
,2025-02-21
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