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深沟槽刻蚀方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110641000.X
申请日
:
2021-06-09
公开(公告)号
:
CN113506734A
公开(公告)日
:
2021-10-15
发明(设计)人
:
陈跃华
熊磊
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21329
IPC分类号
:
H01L2994
H01L21308
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
焦健
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20210609
2021-10-15
公开
公开
共 50 条
[1]
深沟槽刻蚀方法
[P].
周策
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
周策
;
谭理
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
谭理
;
殷敏
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
殷敏
;
王玉新
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
;
丁佳
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
丁佳
.
中国专利
:CN119108275A
,2024-12-10
[2]
深沟槽的刻蚀方法
[P].
郭海亮
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郭海亮
;
姚道州
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚道州
;
赵志
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵志
;
任婷婷
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
任婷婷
;
汪健
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
王玉新
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
.
中国专利
:CN118248540A
,2024-06-25
[3]
深沟槽刻蚀方法
[P].
姚嫦娲
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姚嫦娲
;
杨华
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杨华
;
刘鹏
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刘鹏
;
陈东强
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陈东强
.
中国专利
:CN102479676A
,2012-05-30
[4]
沟槽的刻蚀方法
[P].
李昊
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李昊
.
中国专利
:CN111403275B
,2020-07-10
[5]
深沟槽的形成方法
[P].
肖培
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肖培
.
中国专利
:CN102324387A
,2012-01-18
[6]
一种深沟槽刻蚀方法
[P].
李明
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机构:
深圳方正微电子有限公司
深圳方正微电子有限公司
李明
;
刁宇飞
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深圳方正微电子有限公司
深圳方正微电子有限公司
刁宇飞
;
姚雪霞
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机构:
深圳方正微电子有限公司
深圳方正微电子有限公司
姚雪霞
.
中国专利
:CN111584357B
,2024-03-15
[7]
深沟槽刻蚀工艺针刺状缺陷的解决方法
[P].
黄志刚
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黄志刚
;
管军
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管军
;
吴智勇
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吴智勇
.
中国专利
:CN103137463A
,2013-06-05
[8]
一种深沟槽刻蚀方法
[P].
李明
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李明
;
刁宇飞
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刁宇飞
;
姚雪霞
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姚雪霞
.
中国专利
:CN111584357A
,2020-08-25
[9]
一种深沟槽刻蚀方法
[P].
陈煜
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
陈煜
;
朱焱均
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
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朱焱均
;
王尧林
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
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王尧林
;
燕强
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
燕强
.
中国专利
:CN119993834B
,2025-06-27
[10]
一种深沟槽刻蚀方法
[P].
陈煜
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
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陈煜
;
朱焱均
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
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朱焱均
;
王尧林
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
王尧林
;
燕强
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
燕强
.
中国专利
:CN119993834A
,2025-05-13
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