深沟槽的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110300251.8

申请日：

2011-09-28

公开(公告)号：

CN102324387A

公开(公告)日：

2012-01-18

发明(设计)人：

肖培

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700523312 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2011103002518 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408
2012-01-18	公开	公开
2017-10-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请公布日:20120118
2014-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101559324536 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2011103002518 申请日:20110928

共 50 条

[1]

沟槽的形成方法 [P].

李凡 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102214567B ,2011-10-12

[2]

深沟槽隔离及其形成方法 [P].

周正贤 ;

曾晓晖 ;

赖志育 ;

周世培 ;

江彦廷 ;

蔡敏瑛 .

中国专利 :CN106486412A ,2017-03-08

[3]

含有沟槽栅的深沟槽型超级结的栅沟槽的形成方法 [P].

王永成 ;

王飞 .

中国专利 :CN103377903A ,2013-10-30

[4]

深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

刘张李 ;

蒙飞 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN112750752A ,2021-05-04

[5]

形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构 [P].

郭富强 ;

陈盈薰 ;

郭仕奇 ;

李宗宪 .

中国专利 :CN106601673A ,2017-04-26

[6]

深沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

赖志育 ;

周正贤 ;

蔡正原 ;

江彦廷 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN106486506A ,2017-03-08

[7]

沟槽的形成方法 [P].

周鸣 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101587837A ,2009-11-25

[8]

沟槽的形成方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN103377991B ,2013-10-30

[9]

深沟槽超结的形成方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 ;

王飞 ;

祝志敏 ;

邵平 .

中国专利 :CN120076384A ,2025-05-30

[10]

深沟槽刻蚀方法 [P].

陈跃华 ;

熊磊 .

中国专利 :CN113506734A ,2021-10-15

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