深沟槽超结的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510174913.3

申请日：

2025-02-17

公开(公告)号：

CN120076384A

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

颜树范刘须电王飞祝志敏邵平

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H10D62/00

IPC分类号：

H10D62/10 H01L23/544

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/00申请日:20250217
2025-05-30	公开	公开

共 50 条

[1]

深沟槽的形成方法 [P].

肖培 .

中国专利 :CN102324387A ,2012-01-18

[2]

深沟槽顶部圆角的形成方法 [P].

吴智勇 ;

斯海国 .

中国专利 :CN104576340A ,2015-04-29

[3]

深沟槽多晶硅形成方法 [P].

吴智勇 .

中国专利 :CN102468128A ,2012-05-23

[4]

超结功率器件的形成方法 [P].

贾璐 ;

楼颖颖 .

中国专利 :CN102779757A ,2012-11-14

[5]

CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构 [P].

李佳龙 ;

黄鹏 ;

范晓 ;

钱文生 .

中国专利 :CN112928058B ,2021-06-08

[6]

一种深沟槽隔离结构的形成方法 [P].

郭哲劭 ;

林智伟 .

中国专利 :CN117976683A ,2024-05-03

[7]

深沟槽顶部圆角形成的工艺方法 [P].

万宇 .

中国专利 :CN114267590A ,2022-04-01

[8]

深沟槽超级PN结结构及其形成方法 [P].

龚大卫 ;

马清杰 ;

邵凯 .

中国专利 :CN101937927A ,2011-01-05

[9]

深沟槽超级PN结结构及其形成方法 [P].

龚大卫 ;

马清杰 ;

邵凯 .

中国专利 :CN101937929A ,2011-01-05

[10]

沟槽栅超结器件的制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

李东升 .

中国专利 :CN107994076A ,2018-05-04

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