沟槽的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210115867.2

申请日：

2012-04-18

公开(公告)号：

CN103377991B

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

张海洋胡敏达

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	公开	公开
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545322536 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012101158672 申请日:20120418
2016-02-17	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽的形成方法 [P].

李凡 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102214567B ,2011-10-12

[2]

深沟槽的形成方法 [P].

肖培 .

中国专利 :CN102324387A ,2012-01-18

[3]

沟槽型功率器件的形成方法 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN102789988A ,2012-11-21

[4]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张翼英 .

中国专利 :CN103811403B ,2014-05-21

[5]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104103569A ,2014-10-15

[6]

沟槽的形成方法 [P].

崔基雄 ;

高建峰 ;

孔真真 ;

刘卫兵 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN115084002A ,2022-09-20

[7]

沟槽的形成方法 [P].

周鸣 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101587837A ,2009-11-25

[8]

沟槽的形成方法 [P].

符雅丽 ;

张海洋 ;

王新鹏 ;

孙武 .

中国专利 :CN101826486A ,2010-09-08

[9]

沟槽型MOS的形成方法 [P].

贾璐 ;

楼颖颖 .

中国专利 :CN102646603A ,2012-08-22

[10]

沟槽的形成方法和浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

尹卓 .

中国专利 :CN109755171A ,2019-05-14

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