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一种深沟槽刻蚀方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010305632.4
申请日
:
2020-04-17
公开(公告)号
:
CN111584357A
公开(公告)日
:
2020-08-25
发明(设计)人
:
李明
刁宇飞
姚雪霞
申请人
:
申请人地址
:
518172 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园
IPC主分类号
:
H01L213065
IPC分类号
:
H01L2102
代理机构
:
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
谢曲曲
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-08-25
公开
公开
2020-09-18
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20200417
共 50 条
[1]
一种深沟槽刻蚀方法
[P].
李明
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳方正微电子有限公司
深圳方正微电子有限公司
李明
;
刁宇飞
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机构:
深圳方正微电子有限公司
深圳方正微电子有限公司
刁宇飞
;
姚雪霞
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0
机构:
深圳方正微电子有限公司
深圳方正微电子有限公司
姚雪霞
.
中国专利
:CN111584357B
,2024-03-15
[2]
深沟槽刻蚀方法
[P].
周策
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
周策
;
谭理
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
谭理
;
殷敏
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
殷敏
;
王玉新
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
;
丁佳
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
丁佳
.
中国专利
:CN119108275A
,2024-12-10
[3]
一种深沟槽刻蚀方法
[P].
陈煜
论文数:
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
陈煜
;
朱焱均
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
朱焱均
;
王尧林
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
王尧林
;
燕强
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
燕强
.
中国专利
:CN119993834B
,2025-06-27
[4]
一种深沟槽刻蚀方法
[P].
陈煜
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
陈煜
;
朱焱均
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
朱焱均
;
王尧林
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
王尧林
;
燕强
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机构:
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
汉轩微电子制造(江苏)有限公司
燕强
.
中国专利
:CN119993834A
,2025-05-13
[5]
深沟槽的刻蚀方法
[P].
郭海亮
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郭海亮
;
姚道州
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚道州
;
赵志
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵志
;
任婷婷
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
任婷婷
;
汪健
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
王玉新
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
.
中国专利
:CN118248540A
,2024-06-25
[6]
深沟槽刻蚀方法
[P].
陈跃华
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陈跃华
;
熊磊
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0
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熊磊
.
中国专利
:CN113506734A
,2021-10-15
[7]
深沟槽刻蚀方法
[P].
姚嫦娲
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姚嫦娲
;
杨华
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杨华
;
刘鹏
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刘鹏
;
陈东强
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0
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陈东强
.
中国专利
:CN102479676A
,2012-05-30
[8]
一种深沟槽刻蚀设备及其方法
[P].
徐震宇
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徐震宇
;
章安娜
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章安娜
;
许凌燕
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许凌燕
.
中国专利
:CN104347391A
,2015-02-11
[9]
超级结深沟槽刻蚀工艺改进方法
[P].
王飞
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0
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王飞
;
钟秋
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0
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钟秋
.
中国专利
:CN103227100A
,2013-07-31
[10]
一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置
[P].
符雅丽
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符雅丽
.
中国专利
:CN104752152B
,2015-07-01
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