深沟槽刻蚀工艺针刺状缺陷的解决方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110389058.6

申请日：

2011-11-30

公开(公告)号：

CN103137463A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

黄志刚管军吴智勇

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101688900489 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2011103890586 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140107
2013-06-05	公开	公开
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486721801 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2011103890586 申请日:20111130
2016-03-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730258791 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2011103890586 申请公布日:20130605

共 50 条

[1]

深沟槽的刻蚀方法 [P].

郭海亮 ;

姚道州 ;

赵志 ;

任婷婷 ;

汪健 ;

王玉新 .

中国专利 :CN118248540A ,2024-06-25

[2]

深沟槽刻蚀方法 [P].

陈跃华 ;

熊磊 .

中国专利 :CN113506734A ,2021-10-15

[3]

深沟槽刻蚀方法 [P].

姚嫦娲 ;

杨华 ;

刘鹏 ;

陈东强 .

中国专利 :CN102479676A ,2012-05-30

[4]

改善深沟槽刻蚀后硅片边缘硅尖刺缺陷的方法 [P].

吴智勇 ;

刘鹏 ;

黄志刚 .

中国专利 :CN102446701A ,2012-05-09

[5]

超级结深沟槽刻蚀工艺改进方法 [P].

王飞 ;

钟秋 .

中国专利 :CN103227100A ,2013-07-31

[6]

深沟槽刻蚀方法 [P].

周策 ;

谭理 ;

殷敏 ;

王玉新 ;

丁佳 .

中国专利 :CN119108275A ,2024-12-10

[7]

沟槽刻蚀工艺方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN106128994B ,2016-11-16

[8]

深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法 [P].

章安娜 ;

李晓明 .

中国专利 :CN103065943A ,2013-04-24

[9]

一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法 [P].

章安娜 ;

李晓明 .

中国专利 :CN103107080B ,2013-05-15

[10]

一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法 [P].

王瑞环 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

余鹏 ;

卢成博 ;

陆小豪 .

中国专利 :CN117476450A ,2024-01-30

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