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一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311416245.8
申请日：
2023-10-27
公开(公告)号：
CN117476450A
公开(公告)日：
2024-01-30
发明(设计)人：
王瑞环
吴长明
冯大贵
余鹏
卢成博
陆小豪
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H01L21/308
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
无锡市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-30 | 公开 | 公开 |
| 2024-02-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20231027 |