刻蚀高深宽比沟槽的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111011360.8

申请日：

2021-08-31

公开(公告)号：

CN113782427A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

杨继业赵龙杰全亚文李昊詹智健陆怡吴冠涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	公开	公开
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20210831

共 50 条

[1]

高深宽比铝刻蚀方法 [P].

王泽玉 ;

沈显青 ;

李东 .

中国专利 :CN118943022A ,2024-11-12

[2]

高深宽比硅深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李明 ;

李婷 ;

邓珂 ;

李修函 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1209799C ,2003-07-23

[3]

高深宽比开口的刻蚀方法及刻蚀气体 [P].

黄海辉 ;

左明光 ;

王猛 ;

曾最新 ;

朱宏斌 ;

霍宗亮 ;

程卫华 .

中国专利 :CN110544627A ,2019-12-06

[4]

一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法 [P].

王瑞环 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

余鹏 ;

卢成博 ;

陆小豪 .

中国专利 :CN117476450A ,2024-01-30

[5]

形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1204606C ,2003-06-11

[6]

氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 [P].

孟令款 .

中国专利 :CN103531464B ,2014-01-22

[7]

一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法 [P].

王士京 ;

梁洁 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

吴倩 ;

方文强 .

中国专利 :CN121123019A ,2025-12-12

[8]

高深宽比结构的刻蚀方法及MEMS器件的制作方法 [P].

王红超 .

中国专利 :CN105448697A ,2016-03-30

[9]

高深宽比开口的刻蚀方法及半导体器件 [P].

王猛 ;

黄海辉 ;

左明光 ;

曾最新 ;

朱宏斌 ;

霍宗亮 ;

程卫华 .

中国专利 :CN110571150B ,2019-12-13

[10]

氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法 [P].

孟令款 .

中国专利 :CN103578973A ,2014-02-12

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