形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01142993.3

申请日：

2001-12-04

公开(公告)号：

CN1204606C

公开(公告)日：

2003-06-11

发明(设计)人：

吴燕萍何岳风

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

任永武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-06-11	公开	公开
2021-12-21	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20011204 授权公告日:20050601
2005-06-01	授权	授权

共 50 条

[1]

蚀刻高深宽比结构的方法 [P].

乔锋 ;

周海龙 ;

符谦 ;

S·朴 ;

J·周 ;

R·阿加瓦尔 ;

刘同 .

美国专利 :CN121002644A ,2025-11-21

[2]

刻蚀高深宽比沟槽的工艺方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

全亚文 ;

李昊 ;

詹智健 ;

陆怡 ;

吴冠涛 .

中国专利 :CN113782427A ,2021-12-10

[3]

高深宽比图形的形成方法 [P].

杨要华 ;

马立飞 .

中国专利 :CN111799156A ,2020-10-20

[4]

一种形成具有高深宽比图形的结构的方法 [P].

冯奇艳 ;

刘鹏 ;

唐在峰 .

中国专利 :CN109326518B ,2019-02-12

[5]

高深宽比圆筒蚀刻的沉积侧壁钝化技术 [P].

埃里克·A·赫德森 .

中国专利 :CN109417030A ,2019-03-01

[6]

用于高深宽比结构的移除方法 [P].

L·徐 ;

陈智君 ;

J·黄 ;

王安川 .

中国专利 :CN110235228A ,2019-09-13

[7]

用氯进行高深宽比电介质蚀刻 [P].

高桥鲁伊 ;

李亦伦 ;

埃里克·A·赫德森 ;

吴允金 ;

李元在 ;

里奥尼德·贝劳 ;

安德鲁·克拉克·塞里诺 .

中国专利 :CN115668462A ,2023-01-31

[8]

通过气相掺杂的高深宽比接合区形成 [P].

陈智君 ;

弗雷德里克·费什伯恩 ;

郑秀晶 ;

朱作明 .

美国专利 :CN121002619A ,2025-11-21

[9]

一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法 [P].

王瑞环 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

余鹏 ;

卢成博 ;

陆小豪 .

中国专利 :CN117476450A ,2024-01-30

[10]

高深宽比特征中的金属沉积和蚀刻 [P].

王柏玮 ;

R·P·雷迪 ;

X·C·陈 ;

崔振江 ;

王安川 .

美国专利 :CN117769756A ,2024-03-26

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