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氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210265970.5
申请日：
2012-07-29
公开(公告)号：
CN103578973A
公开(公告)日：
2014-02-12
发明(设计)人：
孟令款
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3#
IPC主分类号：
H01L21311
IPC分类号：
代理机构：
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345
代理人：
陈红
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-12-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101591361258 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2012102659705 申请日:20120729 |
| 2021-01-12 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/311 登记生效日:20201231 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院微电子研究所 变更后权利人:澳芯集成电路技术（广东）有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3# 变更后权利人:510000 广东省广州市黄浦区开源大道136号A栋601 |
| 2014-02-12 | 公开 | 公开 |
| 2022-05-13 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/311 登记生效日:20220506 变更事项:专利权人 变更前权利人:澳芯集成电路技术（广东）有限公司 变更后权利人:锐立平芯微电子（广州）有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:510000 广东省广州市黄浦区开源大道136号A栋601 变更后权利人:510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 |
| 2017-09-05 | 授权 | 授权 |