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氮化硅膜刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011155060.2
申请日：
2020-10-26
公开(公告)号：
CN112331562A
公开(公告)日：
2021-02-05
发明(设计)人：
刘本锋
申请人：
申请人地址：
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L21311
IPC分类号：
H01L2167
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
彭瑞欣;王婷
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-05 | 公开 | 公开 |
| 2021-02-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20201026 |