氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094355.1

申请日：

2007-11-30

公开(公告)号：

CN101452845B

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

王明琪赵桓赵晓亮潘嘉

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

顾继光

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-05-26	授权	授权
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689501556 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利号:ZL2007100943551 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2009-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅湿法腐蚀方法 [P].

陈晨 ;

贾锐 ;

朱晨昕 ;

李维龙 ;

李昊峰 ;

王琴 ;

刘明 ;

田继红 ;

路程 .

中国专利 :CN101417890A ,2009-04-29

[2]

氮化硅膜刻蚀方法 [P].

刘本锋 .

中国专利 :CN112331562A ,2021-02-05

[3]

氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置 [P].

森崎仁史 ;

神谷保志 ;

野村秀二 ;

户塚正裕 ;

奥友希 ;

服部亮 .

中国专利 :CN100413036C ,2003-11-05

[4]

氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜 [P].

安藤优汰 ;

猪狩晃 ;

森本直树 .

日本专利 :CN116802336B ,2025-11-21

[5]

多层氮化硅膜 [P].

李世远 ;

金武性 ;

李彰原 ;

雷新建 .

美国专利 :CN118475717A ,2024-08-09

[6]

氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法 [P].

中西敏雄 ;

片山大介 .

中国专利 :CN107507774A ,2017-12-22

[7]

从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法 [P].

庄司秀行 ;

祐川光成 .

中国专利 :CN1218279A ,1999-06-02

[8]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[9]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[10]

氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法 [P].

卢朋 ;

李松举 ;

祝汉泉 ;

谢志生 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN108346572A ,2018-07-31

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