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氮化硅膜蚀刻组合物

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910520688.9
申请日：
2019-06-17
公开(公告)号：
CN110628435B
公开(公告)日：
2019-12-31
发明(设计)人：
金东铉 朴贤宇 李斗元 曺长佑 李明镐 宋明根
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
C09K1306
IPC分类号：
H01L21311
代理机构：
北京市中伦律师事务所 11410
代理人：
杨黎峰;赵瑞
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-12-31 公开 公开
2021-02-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20190617
2022-04-05 授权 授权
共 50 条
[1]
氮化硅膜的蚀刻组合物 [P]. 
李锡浩 ;
宋定桓 ;
全成植 ;
赵诚一 ;
金炳卓 ;
韩挪 ;
林娥铉 ;
李浚宇 ;
李鍲根 ;
金俊源 .
中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21
[2]
氮化硅膜蚀刻组合物 [P]. 
李昇勋 ;
李昇炫 ;
金胜焕 ;
陈昇吾 .
中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19
[3]
氮化硅膜蚀刻用组合物 [P]. 
金东铉 ;
朴贤雨 ;
南硕泫 ;
金南希 ;
曺旻永 ;
吴泰旭 ;
金周焕 ;
李明镐 ;
宋明根 ;
吴垠锡 ;
姜莹美 .
韩国专利 :CN120041207A ,2025-05-27
[4]
氮化硅膜蚀刻组合物和使用其的蚀刻方法 [P]. 
金东铉 ;
朴贤宇 ;
洪性俊 ;
李明镐 ;
宋明根 ;
金薰植 ;
高在中 ;
李鸣仪 ;
黄俊赫 .
中国专利 :CN114250075A ,2022-03-29
[5]
氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法 [P]. 
金东铉 ;
朴贤宇 ;
曹长佑 ;
金泰镐 ;
李明护 ;
宋明根 .
中国专利 :CN110872516B ,2020-03-10
[6]
氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P]. 
金东铉 ;
朴贤宇 ;
洪性俊 ;
李明镐 ;
宋明根 ;
金薰植 ;
高在中 ;
李鸣仪 ;
黄俊赫 .
韩国专利 :CN114250076B ,2025-12-26
[7]
氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P]. 
金东铉 ;
朴贤宇 ;
洪性俊 ;
李明镐 ;
宋明根 ;
金薰植 ;
高在中 ;
李鸣仪 ;
黄俊赫 .
中国专利 :CN114250076A ,2022-03-29
[8]
氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P]. 
金东铉 ;
朴贤宇 ;
洪性俊 ;
李明镐 ;
宋明根 ;
金薰植 ;
高在中 ;
李鸣仪 .
中国专利 :CN114250077A ,2022-03-29
[9]
用于湿法蚀刻氮化硅的组合物 [P]. 
李锡浩 ;
宋定桓 ;
全成植 ;
赵诚一 ;
金炳卓 ;
林娥铉 ;
李浚宇 .
中国专利 :CN110551503A ,2019-12-10
[10]
氮化硅膜蚀刻溶液 [P]. 
柳浩成 ;
韩承弦 ;
张郁 ;
金允澈 .
中国专利 :CN107573940A ,2018-01-12
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