氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910835738.2

申请日：

2019-09-03

公开(公告)号：

CN110872516B

公开(公告)日：

2020-03-10

发明(设计)人：

金东铉朴贤宇曹长佑金泰镐李明护宋明根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

薛琦;金明花

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	授权	授权
2020-03-10	公开	公开
2021-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20190903

共 50 条

[1]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[2]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[3]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[4]

氮化硅膜蚀刻组合物和使用其的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

中国专利 :CN114250075A ,2022-03-29

[5]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

韩国专利 :CN114250076B ,2025-12-26

[6]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

中国专利 :CN114250076A ,2022-03-29

[7]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 .

中国专利 :CN114250077A ,2022-03-29

[8]

氮化硅膜蚀刻用组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤雨 ;

南硕泫 ;

金南希 ;

曺旻永 ;

吴泰旭 ;

金周焕 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

吴垠锡 ;

姜莹美 .

韩国专利 :CN120041207A ,2025-05-27

[9]

用于湿法蚀刻氮化硅的组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

林娥铉 ;

李浚宇 .

中国专利 :CN110551503A ,2019-12-10

[10]

用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P].

崔正敏 ;

张俊英 ;

金贤贞 ;

文炯朗 ;

李智惠 ;

韩权愚 ;

黄基煜 .

中国专利 :CN112680228B ,2021-04-20

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