用于湿法蚀刻氮化硅的组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910462633.7

申请日：

2019-05-30

公开(公告)号：

CN110551503A

公开(公告)日：

2019-12-10

发明(设计)人：

李锡浩宋定桓全成植赵诚一金炳卓林娥铉李浚宇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟海胜;马铁军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20190530
2021-04-16	授权	授权
2019-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[2]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[3]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[4]

用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P].

崔正敏 ;

张俊英 ;

金贤贞 ;

文炯朗 ;

李智惠 ;

韩权愚 ;

黄基煜 .

中国专利 :CN112680228B ,2021-04-20

[5]

氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

曹长佑 ;

金泰镐 ;

李明护 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110872516B ,2020-03-10

[6]

氮化硅膜蚀刻用组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤雨 ;

南硕泫 ;

金南希 ;

曺旻永 ;

吴泰旭 ;

金周焕 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

吴垠锡 ;

姜莹美 .

韩国专利 :CN120041207A ,2025-05-27

[7]

用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P].

文炯朗 ;

崔正敏 ;

李圭原 ;

张俊英 ;

尹志贤 ;

李智惠 ;

李在珉 ;

赵娟振 ;

韩美莲 ;

金贤贞 .

韩国专利 :CN115895662B ,2024-09-13

[8]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

韩国专利 :CN114250076B ,2025-12-26

[9]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

中国专利 :CN114250076A ,2022-03-29

[10]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 .

中国专利 :CN114250077A ,2022-03-29

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