氮化硅膜蚀刻溶液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710533301.4

申请日：

2017-07-03

公开(公告)号：

CN107573940A

公开(公告)日：

2018-01-12

发明(设计)人：

柳浩成韩承弦张郁金允澈

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

C09K1308

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;宋东颖

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09K 13/08 申请公布日:20180112
2018-01-12	公开	公开
2018-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/08 申请日:20170703

共 50 条

[1]

氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法 [P].

柳浩成 ;

权泰秀 ;

金明炫 ;

李浚银 .

韩国专利 :CN112210378B ,2024-04-12

[2]

氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法 [P].

柳浩成 ;

权泰秀 ;

金明炫 ;

李浚银 .

中国专利 :CN112210378A ,2021-01-12

[3]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[4]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[5]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[6]

低湿蚀刻速率的氮化硅膜 [P].

赫门特·P·芒吉卡 ;

吴璟 ;

杨·S·李 ;

王安川 .

中国专利 :CN101981225A ,2011-02-23

[7]

氮化硅膜蚀刻用组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤雨 ;

南硕泫 ;

金南希 ;

曺旻永 ;

吴泰旭 ;

金周焕 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

吴垠锡 ;

姜莹美 .

韩国专利 :CN120041207A ,2025-05-27

[8]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 .

中国专利 :CN112824482A ,2021-05-21

[9]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

梁俊镐 ;

庾煉晳 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN112779014A ,2021-05-11

[10]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 .

韩国专利 :CN112824482B ,2024-03-26

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