低湿蚀刻速率的氮化硅膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880121406.8

申请日：

2008-12-18

公开(公告)号：

CN101981225A

公开(公告)日：

2011-02-23

发明(设计)人：

赫门特·P·芒吉卡吴璟杨·S·李王安川

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1624

IPC分类号：

C23C1634 C23C16513 H01L21205

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-23	公开	公开
2014-01-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回申请公布日:20110223 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101686111331 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2008801214068
2011-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101062496387 IPC(主分类):C23C 16/24 专利申请号:2008801214068 申请日:20081218
2012-02-22	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101286726229 IPC(主分类):C23C 16/24 专利申请号:2008801214068 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州

共 50 条

[1]

氮化硅膜的干法蚀刻速率降低 [P].

M·W·蒋 ;

H·俞 ;

D·帕德希 ;

T-J·龚 .

中国专利 :CN111344834A ,2020-06-26

[2]

氮化硅膜的干法蚀刻速率降低 [P].

M·W·蒋 ;

H·俞 ;

D·帕德希 ;

T-J·龚 .

美国专利 :CN111344834B ,2024-07-12

[3]

多层氮化硅膜 [P].

李世远 ;

金武性 ;

李彰原 ;

雷新建 .

美国专利 :CN118475717A ,2024-08-09

[4]

氮化硅膜蚀刻溶液 [P].

柳浩成 ;

韩承弦 ;

张郁 ;

金允澈 .

中国专利 :CN107573940A ,2018-01-12

[5]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[6]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[7]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[8]

从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法 [P].

庄司秀行 ;

祐川光成 .

中国专利 :CN1218279A ,1999-06-02

[9]

氮化硅膜蚀刻用组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤雨 ;

南硕泫 ;

金南希 ;

曺旻永 ;

吴泰旭 ;

金周焕 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

吴垠锡 ;

姜莹美 .

韩国专利 :CN120041207A ,2025-05-27

[10]

均匀减少氮化硅膜的特征内湿法蚀刻速率的方法和装置 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

凯瑟琳·M·凯尔克纳 ;

乔恩·亨利 ;

丹尼斯·M·豪斯曼 .

中国专利 :CN105448701B ,2016-03-30

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