从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98124902.7

申请日：

1998-11-13

公开(公告)号：

CN1218279A

公开(公告)日：

1999-06-02

发明(设计)人：

庄司秀行祐川光成

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L21306 H01L213065

代理机构：

中科专利代理有限责任公司

代理人：

刘晓峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-06-02	公开	公开
1999-04-07	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2003-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[2]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[3]

氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法 [P].

卢朋 ;

李松举 ;

祝汉泉 ;

谢志生 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN108346572A ,2018-07-31

[4]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[5]

氮化硅膜蚀刻溶液 [P].

柳浩成 ;

韩承弦 ;

张郁 ;

金允澈 .

中国专利 :CN107573940A ,2018-01-12

[6]

氮化硅膜蚀刻用组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤雨 ;

南硕泫 ;

金南希 ;

曺旻永 ;

吴泰旭 ;

金周焕 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

吴垠锡 ;

姜莹美 .

韩国专利 :CN120041207A ,2025-05-27

[7]

氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法 [P].

柳浩成 ;

权泰秀 ;

金明炫 ;

李浚银 .

韩国专利 :CN112210378B ,2024-04-12

[8]

氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法 [P].

柳浩成 ;

权泰秀 ;

金明炫 ;

李浚银 .

中国专利 :CN112210378A ,2021-01-12

[9]

提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法 [P].

刘苏涛 ;

林士闵 .

中国专利 :CN118899218B ,2025-03-11

[10]

提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法 [P].

刘苏涛 ;

林士闵 .

中国专利 :CN118899218A ,2024-11-05

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