一种氮化硅刻蚀方法

被引：0

申请号：

CN202210254276.7

申请日：

2022-03-15

公开(公告)号：

CN114664653A

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

陈长鸿孙一军孙颖王妹芳孙家宝刘艳华刘志谢石建

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L2102 H01L2156

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

林超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20220315
2022-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化硅刻蚀方法 [P].

陈长鸿 ;

孙一军 ;

孙颖 ;

王妹芳 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

刘志 ;

谢石建 .

中国专利 :CN114664653B ,2025-04-11

[2]

刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法 [P].

赵金强 ;

周国平 ;

薛锋 ;

王惠芳 .

中国专利 :CN102148151A ,2011-08-10

[3]

氮化硅膜刻蚀方法 [P].

刘本锋 .

中国专利 :CN112331562A ,2021-02-05

[4]

氮化硅膜的干刻蚀方法 [P].

登坂久雄 .

中国专利 :CN101315891B ,2008-12-03

[5]

一种用于氮化硅刻蚀芯片的刻蚀系统 [P].

刘正伟 ;

杨庆 ;

罗小芳 ;

何岸青 ;

刘晓明 .

中国专利 :CN119381297A ,2025-01-28

[6]

一种氮化硅刻蚀液、制备方法及其应用 [P].

王溯 ;

黄利松 ;

冯强强 ;

张翠翠 .

中国专利 :CN120843104A ,2025-10-28

[7]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[8]

硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法 [P].

李芳 ;

周海锋 .

中国专利 :CN102403213A ,2012-04-04

[9]

提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN114446775A ,2022-05-06

[10]

氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 [P].

孟令款 .

中国专利 :CN103531464B ,2014-01-22

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