硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010285784.9

申请日：

2010-09-17

公开(公告)号：

CN102403213A

公开(公告)日：

2012-04-04

发明(设计)人：

李芳周海锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-04	公开	公开
2014-12-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101708223741 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2010102857849 申请公布日:20120404
2012-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101261914382 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2010102857849 申请日:20100917
2013-07-17	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101630425074 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2010102857849 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市张江路18号变更后权利人:100176 北京经济技术开发区文昌大道18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司登记生效日:20130621

共 50 条

[1]

刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法 [P].

赵金强 ;

周国平 ;

薛锋 ;

王惠芳 .

中国专利 :CN102148151A ,2011-08-10

[2]

基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法 [P].

叶彦宏 ;

范左鸿 ;

刘慕义 ;

詹光阳 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1419280A ,2003-05-21

[3]

氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 [P].

孟令款 .

中国专利 :CN103531473A ,2014-01-22

[4]

氮化硅膜刻蚀方法 [P].

刘本锋 .

中国专利 :CN112331562A ,2021-02-05

[5]

制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法 [P].

马宏平 ;

张园览 .

中国专利 :CN112670167A ,2021-04-16

[6]

氮化硅膜的干刻蚀方法 [P].

登坂久雄 .

中国专利 :CN101315891B ,2008-12-03

[7]

氧化硅和氧氮化硅的低温沉积 [P].

先崎义秀 ;

李尚因 ;

李尚校 .

中国专利 :CN1868041A ,2006-11-22

[8]

氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420166A ,2012-04-18

[9]

图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构 [P].

王怡人 ;

谢元智 .

中国专利 :CN112992671A ,2021-06-18

[10]

图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构 [P].

王怡人 ;

谢元智 .

中国专利 :CN112992671B ,2025-03-11

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