氧化硅和氧氮化硅的低温沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03825798.X

申请日：

2003-08-18

公开(公告)号：

CN1868041A

公开(公告)日：

2006-11-22

发明(设计)人：

先崎义秀李尚因李尚校

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2006-11-22	公开	公开
2007-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[2]

用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 .

中国专利 :CN1596324A ,2005-03-16

[3]

在氮化硅表面淀积氧化硅的方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102312225A ,2012-01-11

[4]

沉积氮化硅的方法和设备 [P].

凯瑟琳·克鲁克 ;

史蒂夫·伯吉斯 .

中国专利 :CN110835748A ,2020-02-25

[5]

使用氟抑制剂的氮化硅和氧化硅沉积方法 [P].

沟口隆志 ;

芝英一郎 ;

上田真也 ;

金仙子 .

中国专利 :CN113881930A ,2022-01-04

[6]

制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法 [P].

马宏平 ;

张园览 .

中国专利 :CN112670167A ,2021-04-16

[7]

氮化硅沉积炉管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208517524U ,2019-02-19

[8]

原子层沉积氮化硅膜的原位碳和氧掺杂 [P].

V·恩古耶 ;

M·巴尔塞努 ;

N·李 ;

S·D·马库斯 ;

M·沙立 ;

D·汤普森 ;

L-Q·夏 .

中国专利 :CN104900513A ,2015-09-09

[9]

柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法 [P].

陈昌 ;

刘博 ;

豆传国 ;

崔虎山 ;

徐开东 .

中国专利 :CN111218665A ,2020-06-02

[10]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

美国专利 :CN112930581B ,2025-04-15

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