使用氟抑制剂的氮化硅和氧化硅沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110733728.5

申请日：

2021-06-30

公开(公告)号：

CN113881930A

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

沟口隆志芝英一郎上田真也金仙子

申请人：

申请人地址：

荷兰阿尔梅勒

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1602 C23C1634 C23C1640 C23C16455 C23C16509 H01L2102

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王冉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化硅和氧氮化硅的低温沉积 [P].

先崎义秀 ;

李尚因 ;

李尚校 .

中国专利 :CN1868041A ,2006-11-22

[2]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[3]

制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法 [P].

马宏平 ;

张园览 .

中国专利 :CN112670167A ,2021-04-16

[4]

沉积氮化硅的方法和设备 [P].

凯瑟琳·克鲁克 ;

史蒂夫·伯吉斯 .

中国专利 :CN110835748A ,2020-02-25

[5]

基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法 [P].

叶彦宏 ;

范左鸿 ;

刘慕义 ;

詹光阳 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1419280A ,2003-05-21

[6]

氮化硅沉积炉管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208517524U ,2019-02-19

[7]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[8]

氮化硅膜的沉积方法 [P].

H·钱德拉 ;

A·马利卡朱南 ;

雷新建 ;

金武性 ;

K·S·卡瑟尔 ;

M·L·奥尼尔 .

中国专利 :CN104831254B ,2015-08-12

[9]

氮化硅膜沉积设备和沉积方法 [P].

解占壹 ;

刘海金 ;

刘伟 .

中国专利 :CN102817011B ,2012-12-12

[10]

硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法 [P].

李芳 ;

周海锋 .

中国专利 :CN102403213A ,2012-04-04

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