氮化硅沉积炉管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201820598426.5
申请日
2018-04-25
公开(公告)号
CN208517524U
公开(公告)日
2019-02-19
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
C23C1634
IPC分类号
C23C16458
代理机构
上海市锦天城律师事务所 31273
代理人
何金花
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109957785A ,2019-07-02
[2]
一种氮化硅沉积炉管 [P]. 
蒋小波 ;
宋红利 .
中国专利 :CN223047583U ,2025-07-01
[3]
一种氮化硅炉管设备 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208776836U ,2019-04-23
[4]
氮化硅膜沉积设备 [P]. 
解占壹 ;
刘海金 ;
刘伟 .
中国专利 :CN202830165U ,2013-03-27
[5]
沉积氮化硅的方法 [P]. 
L·C·卡鲁塔拉格 ;
M·J·萨利 ;
P·P·杰哈 ;
梁璟梅 .
中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31
[6]
氮化硅薄膜沉积方法 [P]. 
俞锦辰 ;
胡正军 ;
钟晓兰 .
中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26
[7]
平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 [P]. 
奚建平 ;
周子彬 .
中国专利 :CN201195747Y ,2009-02-18
[8]
氮化硅膜的沉积方法 [P]. 
H·钱德拉 ;
A·马利卡朱南 ;
雷新建 ;
金武性 ;
K·S·卡瑟尔 ;
M·L·奥尼尔 .
中国专利 :CN104831254B ,2015-08-12
[9]
沉积氮化硅膜的方法 [P]. 
詹姆斯·S·思姆斯 ;
谢恩·唐 ;
维克兰特·莱 ;
安德鲁·麦克罗 ;
邱华檀 .
美国专利 :CN112930581B ,2025-04-15
[10]
沉积氮化硅膜的方法 [P]. 
詹姆斯·S·思姆斯 ;
谢恩·唐 ;
维克兰特·莱 ;
安德鲁·麦克罗 ;
邱华檀 .
中国专利 :CN112930581A ,2021-06-08