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氮化硅沉积炉管
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201820598426.5
申请日
:
2018-04-25
公开(公告)号
:
CN208517524U
公开(公告)日
:
2019-02-19
发明(设计)人
:
不公告发明人
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
C23C1634
IPC分类号
:
C23C16458
代理机构
:
上海市锦天城律师事务所 31273
代理人
:
何金花
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-02-19
授权
授权
共 50 条
[1]
氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109957785A
,2019-07-02
[2]
一种氮化硅沉积炉管
[P].
蒋小波
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机构:
河南宏宇陶瓷材料有限公司
河南宏宇陶瓷材料有限公司
蒋小波
;
宋红利
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机构:
河南宏宇陶瓷材料有限公司
河南宏宇陶瓷材料有限公司
宋红利
.
中国专利
:CN223047583U
,2025-07-01
[3]
一种氮化硅炉管设备
[P].
不公告发明人
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不公告发明人
.
中国专利
:CN208776836U
,2019-04-23
[4]
氮化硅膜沉积设备
[P].
解占壹
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解占壹
;
刘海金
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刘海金
;
刘伟
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刘伟
.
中国专利
:CN202830165U
,2013-03-27
[5]
沉积氮化硅的方法
[P].
L·C·卡鲁塔拉格
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L·C·卡鲁塔拉格
;
M·J·萨利
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M·J·萨利
;
P·P·杰哈
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P·P·杰哈
;
梁璟梅
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梁璟梅
.
中国专利
:CN113330141A
,2021-08-31
[6]
氮化硅薄膜沉积方法
[P].
俞锦辰
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机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
俞锦辰
;
胡正军
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机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
胡正军
;
钟晓兰
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机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
钟晓兰
.
中国专利
:CN119020749A
,2024-11-26
[7]
平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
[P].
奚建平
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奚建平
;
周子彬
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周子彬
.
中国专利
:CN201195747Y
,2009-02-18
[8]
氮化硅膜的沉积方法
[P].
H·钱德拉
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H·钱德拉
;
A·马利卡朱南
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A·马利卡朱南
;
雷新建
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雷新建
;
金武性
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金武性
;
K·S·卡瑟尔
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K·S·卡瑟尔
;
M·L·奥尼尔
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M·L·奥尼尔
.
中国专利
:CN104831254B
,2015-08-12
[9]
沉积氮化硅膜的方法
[P].
詹姆斯·S·思姆斯
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
詹姆斯·S·思姆斯
;
谢恩·唐
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朗姆研究公司
朗姆研究公司
谢恩·唐
;
维克兰特·莱
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朗姆研究公司
朗姆研究公司
维克兰特·莱
;
安德鲁·麦克罗
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
安德鲁·麦克罗
;
邱华檀
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
邱华檀
.
美国专利
:CN112930581B
,2025-04-15
[10]
沉积氮化硅膜的方法
[P].
詹姆斯·S·思姆斯
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詹姆斯·S·思姆斯
;
谢恩·唐
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谢恩·唐
;
维克兰特·莱
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维克兰特·莱
;
安德鲁·麦克罗
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安德鲁·麦克罗
;
邱华檀
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邱华檀
.
中国专利
:CN112930581A
,2021-06-08
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