沉积氮化硅膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980068903.4

申请日：

2019-10-11

公开(公告)号：

CN112930581B

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

詹姆斯·S·思姆斯谢恩·唐维克兰特·莱安德鲁·麦克罗邱华檀

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/324 H01L21/28 C23C16/455 H01J37/32 H01L21/67

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	授权	授权

共 50 条

[1]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

中国专利 :CN112930581A ,2021-06-08

[2]

氮化硅膜的沉积方法 [P].

H·钱德拉 ;

A·马利卡朱南 ;

雷新建 ;

金武性 ;

K·S·卡瑟尔 ;

M·L·奥尼尔 .

中国专利 :CN104831254B ,2015-08-12

[3]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[4]

氮化硅膜沉积设备 [P].

解占壹 ;

刘海金 ;

刘伟 .

中国专利 :CN202830165U ,2013-03-27

[5]

用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 .

中国专利 :CN1596324A ,2005-03-16

[6]

氮化硅膜沉积设备和沉积方法 [P].

解占壹 ;

刘海金 ;

刘伟 .

中国专利 :CN102817011B ,2012-12-12

[7]

多层氮化硅膜 [P].

李世远 ;

金武性 ;

李彰原 ;

雷新建 .

美国专利 :CN118475717A ,2024-08-09

[8]

氮化硅硬掩膜沉积方法 [P].

姚建裕 .

中国专利 :CN120895465A ,2025-11-04

[9]

用于沉积磷掺杂的氮化硅膜的方法 [P].

胡可嵩 ;

R·豪莱德 ;

M·W·蒋 ;

韩新海 ;

H·俞 ;

D·帕德希 .

中国专利 :CN113166932A ,2021-07-23

[10]

氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法 [P].

中西敏雄 ;

片山大介 .

中国专利 :CN107507774A ,2017-12-22

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