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一种氮化硅沉积炉管
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202421647271.1
申请日
:
2024-07-12
公开(公告)号
:
CN223047583U
公开(公告)日
:
2025-07-01
发明(设计)人
:
蒋小波
宋红利
申请人
:
河南宏宇陶瓷材料有限公司
申请人地址
:
450000 河南省郑州市巩义市站街镇鲁村村
IPC主分类号
:
C23C14/56
IPC分类号
:
C23C14/06
C23C16/44
C23C16/34
代理机构
:
河南万石专利代理有限公司 41238
代理人
:
邓鹏
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-01
授权
授权
共 50 条
[1]
氮化硅沉积炉管
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN208517524U
,2019-02-19
[2]
一种氮化硅炉管设备
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN208776836U
,2019-04-23
[3]
氮化硅膜沉积设备
[P].
解占壹
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解占壹
;
刘海金
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刘海金
;
刘伟
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0
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刘伟
.
中国专利
:CN202830165U
,2013-03-27
[4]
沉积氮化硅的方法
[P].
L·C·卡鲁塔拉格
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0
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L·C·卡鲁塔拉格
;
M·J·萨利
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M·J·萨利
;
P·P·杰哈
论文数:
0
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P·P·杰哈
;
梁璟梅
论文数:
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0
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梁璟梅
.
中国专利
:CN113330141A
,2021-08-31
[5]
氮化硅薄膜沉积方法
[P].
俞锦辰
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机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
俞锦辰
;
胡正军
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机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
胡正军
;
钟晓兰
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机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
钟晓兰
.
中国专利
:CN119020749A
,2024-11-26
[6]
一种氮化硅膜沉积方法
[P].
请求不公布姓名
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0
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机构:
青岛澳柯玛云联信息技术有限公司
青岛澳柯玛云联信息技术有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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机构:
青岛澳柯玛云联信息技术有限公司
青岛澳柯玛云联信息技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN120006256A
,2025-05-16
[7]
平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
[P].
奚建平
论文数:
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奚建平
;
周子彬
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周子彬
.
中国专利
:CN201195747Y
,2009-02-18
[8]
一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管及沉积方法
[P].
李军
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
李军
;
余梦
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
余梦
;
赵辉
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
赵辉
;
翟悟名
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
翟悟名
;
彭定勇
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
彭定勇
;
罗栋
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
罗栋
.
中国专利
:CN119040857B
,2025-03-21
[9]
一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管及沉积方法
[P].
李军
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
李军
;
余梦
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
余梦
;
赵辉
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
赵辉
;
翟悟名
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
翟悟名
;
彭定勇
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
彭定勇
;
罗栋
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机构:
杭州欧诺半导体设备有限公司
杭州欧诺半导体设备有限公司
罗栋
.
中国专利
:CN119040857A
,2024-11-29
[10]
一种氮化硅喷雾系统
[P].
蒋小波
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机构:
河南宏宇陶瓷材料有限公司
河南宏宇陶瓷材料有限公司
蒋小波
;
宋红利
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机构:
河南宏宇陶瓷材料有限公司
河南宏宇陶瓷材料有限公司
宋红利
.
中国专利
:CN223288266U
,2025-09-02
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