原子层沉积氮化硅膜的原位碳和氧掺杂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510098387.3

申请日：

2015-03-05

公开(公告)号：

CN104900513A

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

V·恩古耶 M·巴尔塞努 N·李 S·D·马库斯 M·沙立 D·汤普森 L-Q·夏

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

徐伟

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/31 申请公布日:20150909
2015-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

美国专利 :CN112930581B ,2025-04-15

[2]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

中国专利 :CN112930581A ,2021-06-08

[3]

用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 .

中国专利 :CN1596324A ,2005-03-16

[4]

用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法 [P].

蒂莫西·W·韦德曼 ;

托德·施罗德 .

中国专利 :CN103168344A ,2013-06-19

[5]

氧化硅和氧氮化硅的低温沉积 [P].

先崎义秀 ;

李尚因 ;

李尚校 .

中国专利 :CN1868041A ,2006-11-22

[6]

使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN100524650C ,2006-10-04

[7]

氮化硅膜的沉积方法 [P].

H·钱德拉 ;

A·马利卡朱南 ;

雷新建 ;

金武性 ;

K·S·卡瑟尔 ;

M·L·奥尼尔 .

中国专利 :CN104831254B ,2015-08-12

[8]

用于沉积磷掺杂的氮化硅膜的方法 [P].

胡可嵩 ;

R·豪莱德 ;

M·W·蒋 ;

韩新海 ;

H·俞 ;

D·帕德希 .

中国专利 :CN113166932A ,2021-07-23

[9]

原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法 [P].

吴金刚 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN101086959A ,2007-12-12

[10]

氮化硅膜沉积设备和沉积方法 [P].

解占壹 ;

刘海金 ;

刘伟 .

中国专利 :CN102817011B ,2012-12-12

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