原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610027447.3

申请日：

2006-06-08

公开(公告)号：

CN101086959A

公开(公告)日：

2007-12-12

发明(设计)人：

吴金刚三重野文健

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21314 H01L218242 H01L218239 H01L2182 H01L27108 H01L27102 H01L2700

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

李勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

利用原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的方法 [P].

谢荣裕 ;

林经祥 .

中国专利 :CN1190829C ,2003-06-25

[2]

改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法 [P].

姚建裕 .

中国专利 :CN120888896A ,2025-11-04

[3]

使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN100524650C ,2006-10-04

[4]

通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜 [P].

P.F.卡西亚 ;

R.S.麦克莱恩 .

中国专利 :CN103215569A ,2013-07-24

[5]

通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜 [P].

P·F·卡西亚 ;

R·S·麦克莱恩 .

中国专利 :CN1791989A ,2006-06-21

[6]

测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法 [P].

范建国 ;

郭慧 ;

战玉讯 .

中国专利 :CN101192553A ,2008-06-04

[7]

柔性基材上的薄膜氮化硅阻挡层 [P].

A·达尔 ;

A·杰阿西 .

中国专利 :CN104995716A ,2015-10-21

[8]

氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420166A ,2012-04-18

[9]

在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 [P].

傅焕松 ;

谢永明 ;

罗仕洲 .

中国专利 :CN1431688A ,2003-07-23

[10]

原子层沉积氮化硅膜的原位碳和氧掺杂 [P].

V·恩古耶 ;

M·巴尔塞努 ;

N·李 ;

S·D·马库斯 ;

M·沙立 ;

D·汤普森 ;

L-Q·夏 .

中国专利 :CN104900513A ,2015-09-09

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