改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511002281.9

申请日：

2025-07-18

公开(公告)号：

CN120888896A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

姚建裕

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

H10D30/01 C23C16/34

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

陈钧

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20250718

共 50 条

[1]

抑制原子层沉积氮化硅产生微颗粒缺陷的方法 [P].

姚建裕 .

中国专利 :CN119465073A ,2025-02-18

[2]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[3]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[4]

原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法 [P].

吴金刚 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN101086959A ,2007-12-12

[5]

利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法 [P].

张世珍 ;

李相道 ;

赵晟佑 ;

金成基 ;

杨炳日 ;

昔壮衒 ;

李相益 ;

金铭云 .

中国专利 :CN107923041A ,2018-04-17

[6]

利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制备方法 [P].

张世珍 ;

李相道 ;

朴重进 ;

金成基 ;

杨炳日 ;

朴建柱 ;

朴廷主 ;

昔壮炫 ;

李相益 ;

金铭云 .

中国专利 :CN109478497A ,2019-03-15

[7]

通过原子层沉积工艺沉积氮化硅的方法及半导体晶圆 [P].

陈丹 ;

林崇茂 ;

郭晓海 ;

吴加奇 .

中国专利 :CN110648899A ,2020-01-03

[8]

一种氮化硅薄膜的沉积方法及薄膜 [P].

车国良 ;

曹学文 ;

郭顺华 .

中国专利 :CN121183319A ,2025-12-23

[9]

利用原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的方法 [P].

谢荣裕 ;

林经祥 .

中国专利 :CN1190829C ,2003-06-25

[10]

改善HCD氮化硅沉积工艺的应力缺陷的方法 [P].

张召 ;

王智 ;

苏俊铭 ;

倪立华 .

中国专利 :CN104269351A ,2015-01-07

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