改善HCD氮化硅沉积工艺的应力缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410520740.8

申请日：

2014-09-30

公开(公告)号：

CN104269351A

公开(公告)日：

2015-01-07

发明(设计)人：

张召王智苏俊铭倪立华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

王宏婧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596964652 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014105207408 申请日:20140930
2017-02-22	授权	授权
2015-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置 [P].

张卫涛 ;

张召 ;

王智 .

中国专利 :CN107968038B ,2018-04-27

[2]

改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法 [P].

姚建裕 .

中国专利 :CN120888896A ,2025-11-04

[3]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[4]

改善HCD氮化硅片均匀性的方法 [P].

肖天金 ;

康俊龙 ;

邱裕明 .

中国专利 :CN105609411A ,2016-05-25

[5]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[6]

氮化硅膜的沉积方法 [P].

H·钱德拉 ;

A·马利卡朱南 ;

雷新建 ;

金武性 ;

K·S·卡瑟尔 ;

M·L·奥尼尔 .

中国专利 :CN104831254B ,2015-08-12

[7]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

美国专利 :CN112930581B ,2025-04-15

[8]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

中国专利 :CN112930581A ,2021-06-08

[9]

沉积氮化硅的方法和设备 [P].

凯瑟琳·克鲁克 ;

史蒂夫·伯吉斯 .

中国专利 :CN110835748A ,2020-02-25

[10]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

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