柔性基材上的薄膜氮化硅阻挡层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380072957.0

申请日：

2013-12-20

公开(公告)号：

CN104995716A

公开(公告)日：

2015-10-21

发明(设计)人：

A·达尔 A·杰阿西

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

徐舒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-11	授权	授权
2015-10-21	公开	公开
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633530704 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2013800729570 申请日:20131220
2021-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20131220 授权公告日:20180511 终止日期:20201220

共 50 条

[1]

原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法 [P].

吴金刚 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN101086959A ,2007-12-12

[2]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[3]

一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚 [P].

余学功 ;

胡泽晨 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN108728895A ,2018-11-02

[4]

柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法 [P].

陈昌 ;

刘博 ;

豆传国 ;

崔虎山 ;

徐开东 .

中国专利 :CN111218665A ,2020-06-02

[5]

具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法 [P].

李泽宏 ;

莫家宁 ;

王彤阳 ;

叶俊 ;

肖璇 .

中国专利 :CN113224148B ,2021-08-06

[6]

氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420166A ,2012-04-18

[7]

低应力氮化硅薄膜的成长方法 [P].

石家燕 .

中国专利 :CN105070644B ,2015-11-18

[8]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN103334087A ,2013-10-02

[9]

用于氮化硅薄膜的处理方法 [P].

郭津睿 ;

梁璟梅 ;

P·P·杰哈 ;

T·阿肖克 ;

T-J·龚 .

中国专利 :CN111684566A ,2020-09-18

[10]

氮化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108389780A ,2018-08-10

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