一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810688398.0

申请日：

2018-06-28

公开(公告)号：

CN108728895A

公开(公告)日：

2018-11-02

发明(设计)人：

余学功胡泽晨杨德仁

申请人：

申请人地址：

310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C30B1314

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	公开	公开
2020-08-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 13/14 申请公布日:20181102
2018-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/14 申请日:20180628

共 50 条

[1]

一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚 [P].

余学功 ;

胡泽晨 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN108754614A ,2018-11-06

[2]

一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚 [P].

余学功 ;

胡泽晨 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN108796605A ,2018-11-13

[3]

柔性基材上的薄膜氮化硅阻挡层 [P].

A·达尔 ;

A·杰阿西 .

中国专利 :CN104995716A ,2015-10-21

[4]

一种单晶硅铸锭用坩埚和单晶硅铸锭方法 [P].

罗鸿志 ;

何亮 ;

周成 .

中国专利 :CN109972197A ,2019-07-05

[5]

一种氮化硅薄膜的沉积方法 [P].

袁中存 ;

党继东 .

中国专利 :CN106504979B ,2017-03-15

[6]

一种准单晶硅铸锭设备及铸锭方法 [P].

徐传兴 .

中国专利 :CN103194794A ,2013-07-10

[7]

一种准单晶硅的铸锭方法 [P].

黄新明 ;

钟根香 ;

赵波 ;

徐芳华 .

中国专利 :CN101864594A ,2010-10-20

[8]

一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法 [P].

曾祥斌 ;

姜礼华 ;

张笑 .

中国专利 :CN102220568A ,2011-10-19

[9]

一种富硅氮化硅薄膜低温制备方法 [P].

刘林 ;

陈钰杰 ;

张彦峰 ;

吴泽儒 ;

杨纯川 ;

余思远 .

中国专利 :CN109449076A ,2019-03-08

[10]

一种制备准单晶硅的铸锭炉及制备准单晶硅的方法 [P].

吕铁铮 ;

李万辉 .

中国专利 :CN103205807A ,2013-07-17

← 1 2 3 4 5 →