一种氮化硅薄膜的沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610933466.6

申请日：

2016-10-24

公开(公告)号：

CN106504979B

公开(公告)日：

2017-03-15

发明(设计)人：

袁中存党继东

申请人：

申请人地址：

215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

巩克栋;侯桂丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-24	授权	授权
2021-02-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:专利权人变更前:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司变更后:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司变更事项:地址变更前:215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号变更后:215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号变更事项:专利权人变更前:盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司变更后:阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司
2017-03-15	公开	公开
2017-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101712767404 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016109334666 申请日:20161024

共 50 条

[1]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[2]

沉积氮化硅的方法和设备 [P].

凯瑟琳·克鲁克 ;

史蒂夫·伯吉斯 .

中国专利 :CN110835748A ,2020-02-25

[3]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[4]

一种低温沉积氮化硅薄膜的方法 [P].

于棚 ;

刘忆军 ;

杜媛婷 ;

常晓娜 ;

吴围 ;

刘婧婧 ;

商庆燕 .

中国专利 :CN105140422A ,2015-12-09

[5]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[6]

一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 [P].

刘学建 ;

黄莉萍 ;

孙兴伟 .

中国专利 :CN1834288A ,2006-09-20

[7]

氮化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108389780A ,2018-08-10

[8]

低应力氮化硅薄膜的成长方法 [P].

石家燕 .

中国专利 :CN105070644B ,2015-11-18

[9]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[10]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN103334087A ,2013-10-02

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