一种低温沉积氮化硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510455600.1

申请日：

2015-07-29

公开(公告)号：

CN105140422A

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

于棚刘忆军杜媛婷常晓娜吴围刘婧婧商庆燕

申请人：

申请人地址：

110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层

IPC主分类号：

H01L5156

IPC分类号：

代理机构：

沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229

代理人：

甄玉荃;霍光旭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	公开	公开
2018-04-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 51/56 申请公布日:20151209
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640703731 IPC(主分类):H01L 51/56 专利申请号:2015104556001 申请日:20150729

共 50 条

[1]

一种氮化硅薄膜的沉积方法 [P].

袁中存 ;

党继东 .

中国专利 :CN106504979B ,2017-03-15

[2]

掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置 [P].

R·S·伊尔 ;

J·W·史密斯 ;

S·M·佐伊特 ;

K·张 ;

A·M·兰姆 ;

K·L·坎宁安 ;

P·拉马钱德兰 .

中国专利 :CN101283115A ,2008-10-08

[3]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[4]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[5]

一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法 [P].

于威 ;

傅广生 ;

孟令海 ;

腾晓云 ;

王春生 ;

卢海江 .

中国专利 :CN101805891A ,2010-08-18

[6]

一种氮化硅薄膜的沉积方法及薄膜 [P].

车国良 ;

曹学文 ;

郭顺华 .

中国专利 :CN121183319A ,2025-12-23

[7]

平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 [P].

奚建平 ;

周子彬 .

中国专利 :CN201195747Y ,2009-02-18

[8]

平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 [P].

奚建平 ;

周子彬 .

中国专利 :CN101260520A ,2008-09-10

[9]

一种超薄氮化硅薄膜的低温制备方法 [P].

张王乐 ;

冯昊 ;

惠龙飞 ;

艾钰滨 ;

李建国 ;

龚婷 ;

房佳斌 ;

秦利军 ;

李丹 ;

胡逸云 ;

武康 .

中国专利 :CN119615108A ,2025-03-14

[10]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

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