掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680037090.5

申请日：

2006-08-29

公开(公告)号：

CN101283115A

公开(公告)日：

2008-10-08

发明(设计)人：

R·S·伊尔 J·W·史密斯 S·M·佐伊特 K·张 A·M·兰姆 K·L·坎宁安 P·拉马钱德兰

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1600

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陆嘉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101717669088 IPC(主分类):C23C 16/00 专利申请号:2006800370905 申请公布日:20081008
2008-10-08	公开	公开
2008-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101254912531 IPC(主分类):C23C 16/00 专利申请号:2006800370905 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州

共 50 条

[1]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[2]

一种低温沉积氮化硅薄膜的方法 [P].

于棚 ;

刘忆军 ;

杜媛婷 ;

常晓娜 ;

吴围 ;

刘婧婧 ;

商庆燕 .

中国专利 :CN105140422A ,2015-12-09

[3]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[4]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[5]

一种氮化硅薄膜的沉积方法及薄膜 [P].

车国良 ;

曹学文 ;

郭顺华 .

中国专利 :CN121183319A ,2025-12-23

[6]

氧化硅和氧氮化硅的低温沉积 [P].

先崎义秀 ;

李尚因 ;

李尚校 .

中国专利 :CN1868041A ,2006-11-22

[7]

用于沉积磷掺杂的氮化硅膜的方法 [P].

胡可嵩 ;

R·豪莱德 ;

M·W·蒋 ;

韩新海 ;

H·俞 ;

D·帕德希 .

中国专利 :CN113166932A ,2021-07-23

[8]

一种氮化硅薄膜的沉积方法 [P].

袁中存 ;

党继东 .

中国专利 :CN106504979B ,2017-03-15

[9]

平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 [P].

奚建平 ;

周子彬 .

中国专利 :CN201195747Y ,2009-02-18

[10]

平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 [P].

奚建平 ;

周子彬 .

中国专利 :CN101260520A ,2008-09-10

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