一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810688397.6

申请日：

2018-06-28

公开(公告)号：

CN108796605A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

余学功胡泽晨杨德仁

申请人：

申请人地址：

310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C30B2806

IPC分类号：

C30B2906 C23C16455 C23C1640

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/06 申请日:20180628
2018-11-13	公开	公开
2020-08-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 28/06 申请公布日:20181113

共 50 条

[1]

一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚 [P].

余学功 ;

胡泽晨 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN108728895A ,2018-11-02

[2]

一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚 [P].

余学功 ;

胡泽晨 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN108754614A ,2018-11-06

[3]

一种单晶硅铸锭用坩埚和单晶硅铸锭方法 [P].

罗鸿志 ;

何亮 ;

周成 .

中国专利 :CN109972197A ,2019-07-05

[4]

多孔氧化铝薄膜的阻挡层厚度的检测方法 [P].

智林杰 ;

贾玉莹 ;

罗彬 ;

梁明会 .

中国专利 :CN102401633A ,2012-04-04

[5]

一种准单晶硅铸锭设备及铸锭方法 [P].

徐传兴 .

中国专利 :CN103194794A ,2013-07-10

[6]

具有厚阻挡层的阳极氧化铝薄膜的制备方法 [P].

李东栋 ;

姜传海 ;

蒋建华 ;

王晓燕 ;

任鑫 .

中国专利 :CN101104945A ,2008-01-16

[7]

一种准单晶硅的铸锭方法 [P].

黄新明 ;

钟根香 ;

赵波 ;

徐芳华 .

中国专利 :CN101864594A ,2010-10-20

[8]

一种制备准单晶硅的铸锭炉及制备准单晶硅的方法 [P].

吕铁铮 ;

李万辉 .

中国专利 :CN103205807A ,2013-07-17

[9]

一种用于铸锭单晶硅的坩埚 [P].

史珺 .

中国专利 :CN112226809A ,2021-01-15

[10]

一种铸锭单晶硅的坩埚护板 [P].

罗大伟 ;

林洪峰 ;

张凤鸣 ;

王临水 ;

路忠林 .

中国专利 :CN202730295U ,2013-02-13

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