柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010051521.5

申请日：

2020-01-17

公开(公告)号：

CN111218665A

公开(公告)日：

2020-06-02

发明(设计)人：

陈昌刘博豆传国崔虎山徐开东

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C1650 C23C16455 C23C1602

代理机构：

苏州国卓知识产权代理有限公司 32331

代理人：

黄少波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	公开	公开
2020-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20200117

共 50 条

[1]

一种富硅氮化硅薄膜低温制备方法 [P].

刘林 ;

陈钰杰 ;

张彦峰 ;

吴泽儒 ;

杨纯川 ;

余思远 .

中国专利 :CN109449076A ,2019-03-08

[2]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[3]

氧化硅和氧氮化硅的低温沉积 [P].

先崎义秀 ;

李尚因 ;

李尚校 .

中国专利 :CN1868041A ,2006-11-22

[4]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[5]

一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法 [P].

洪文晶 ;

曾巧珍 ;

黄怡然 ;

洪贵春 ;

王雅思 ;

李秀婷 ;

林俊江 ;

李晶 .

中国专利 :CN120809571A ,2025-10-17

[6]

一种低温沉积氮化硅薄膜的方法 [P].

于棚 ;

刘忆军 ;

杜媛婷 ;

常晓娜 ;

吴围 ;

刘婧婧 ;

商庆燕 .

中国专利 :CN105140422A ,2015-12-09

[7]

柔性基材上的薄膜氮化硅阻挡层 [P].

A·达尔 ;

A·杰阿西 .

中国专利 :CN104995716A ,2015-10-21

[8]

掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置 [P].

R·S·伊尔 ;

J·W·史密斯 ;

S·M·佐伊特 ;

K·张 ;

A·M·兰姆 ;

K·L·坎宁安 ;

P·拉马钱德兰 .

中国专利 :CN101283115A ,2008-10-08

[9]

低应力氮化硅薄膜的成长方法 [P].

石家燕 .

中国专利 :CN105070644B ,2015-11-18

[10]

沉积氮化硅的方法和设备 [P].

凯瑟琳·克鲁克 ;

史蒂夫·伯吉斯 .

中国专利 :CN110835748A ,2020-02-25

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