通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310101501.4

申请日：

2004-05-14

公开(公告)号：

CN103215569A

公开(公告)日：

2013-07-24

发明(设计)人：

P.F.卡西亚 R.S.麦克莱恩

申请人：

申请人地址：

美国特拉华州威尔明顿

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1640 H01L5152

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李炳爱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	公开	公开
2013-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101509124897 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2013101015014 申请日:20040514
2016-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732270213 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2013101015014 申请公布日:20130724

共 50 条

[1]

通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜 [P].

P·F·卡西亚 ;

R·S·麦克莱恩 .

中国专利 :CN1791989A ,2006-06-21

[2]

原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法 [P].

吴金刚 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN101086959A ,2007-12-12

[3]

通过原子层沉积形成的电荷俘获层 [P].

汤福 ;

谢琦 ;

J·W·梅斯 ;

蒋晓强 ;

M·E·吉文斯 .

中国专利 :CN107342218A ,2017-11-10

[4]

通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积共形膜 [P].

米卡尔·达内克 ;

乔恩·亨利 ;

谢恩·唐 .

中国专利 :CN106057637A ,2016-10-26

[5]

通过原子层沉积形成含钌的膜的方法 [P].

R·坎乔里亚 ;

R·奥德德拉 ;

J·安西斯 ;

N·博格 .

中国专利 :CN102084026A ,2011-06-01

[6]

包括耐磨扩散阻挡层体系的基材 [P].

马丁·门尼格 ;

彼得·W·奥利维拉 ;

赫尔穆特·施米特 .

中国专利 :CN1221324C ,2002-11-27

[7]

碱金属阻挡层 [P].

F·克拉博 .

中国专利 :CN103619774A ,2014-03-05

[8]

原子层沉积膜制备方法及原子层沉积设备 [P].

陈蓉 ;

叶容利 ;

曹坤 ;

单斌 ;

王威振 .

中国专利 :CN119121187A ,2024-12-13

[9]

碳膜的原子层沉积 [P].

阿德里安·拉沃伊 .

美国专利 :CN112005339B ,2025-04-15

[10]

碳膜的原子层沉积 [P].

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN112005339A ,2020-11-27

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