提升浮栅氮化硅刻蚀轮廓的方法

被引：0

申请号：

CN202210021104.5

申请日：

2022-01-10

公开(公告)号：

CN114446775A

公开(公告)日：

2022-05-06

发明(设计)人：

张振兴

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

C09K1300

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-06	公开	公开
2022-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20220110

共 50 条

[1]

刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法 [P].

赵金强 ;

周国平 ;

薛锋 ;

王惠芳 .

中国专利 :CN102148151A ,2011-08-10

[2]

氮化硅膜刻蚀方法 [P].

刘本锋 .

中国专利 :CN112331562A ,2021-02-05

[3]

一种氮化硅刻蚀方法 [P].

陈长鸿 ;

孙一军 ;

孙颖 ;

王妹芳 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

刘志 ;

谢石建 .

中国专利 :CN114664653B ,2025-04-11

[4]

一种氮化硅刻蚀方法 [P].

陈长鸿 ;

孙一军 ;

孙颖 ;

王妹芳 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

刘志 ;

谢石建 .

中国专利 :CN114664653A ,2022-06-24

[5]

氮化硅膜的干刻蚀方法 [P].

登坂久雄 .

中国专利 :CN101315891B ,2008-12-03

[6]

一种氮化硅刻蚀漏板的清洗系统 [P].

杨庆 ;

刘正伟 ;

朱波 ;

唐维贵 ;

于林生 .

中国专利 :CN119310811A ,2025-01-14

[7]

共享字线的基于氮化硅浮栅的分栅式闪存 [P].

曹子贵 ;

孔蔚然 ;

张博 ;

张雄 ;

顾靖 .

中国专利 :CN101694844A ,2010-04-14

[8]

氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 [P].

孟令款 .

中国专利 :CN103531473A ,2014-01-22

[9]

一种用于氮化硅刻蚀芯片的刻蚀系统 [P].

刘正伟 ;

杨庆 ;

罗小芳 ;

何岸青 ;

刘晓明 .

中国专利 :CN119381297A ,2025-01-28

[10]

浮栅制造过程中氮化硅层的去除方法 [P].

仇圣棻 .

中国专利 :CN103187258A ,2013-07-03

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