带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010363480.3

申请日：

2020-04-30

公开(公告)号：

CN111524802B

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

丁佳冯大贵吴长明欧少敏崔艳雷

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21263

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	授权	授权
2020-08-11	公开	公开
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20200430

共 50 条

[1]

一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法 [P].

邹兆一 ;

李学会 .

中国专利 :CN121038344A ,2025-11-28

[2]

用于改善功率MOS器件多晶硅表面平整度的刻蚀方法 [P].

丁佳 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

杜闫 .

中国专利 :CN111725065B ,2020-09-29

[3]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

许进 ;

唐在峰 ;

昂开渠 .

中国专利 :CN119905395A ,2025-04-29

[4]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

唐在峰 ;

方超 ;

吕煜坤 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN102881578B ,2013-01-16

[5]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

陈敏杰 ;

许进 ;

唐在峰 ;

任昱 .

中国专利 :CN114038739A ,2022-02-11

[6]

SGT MOS器件的制造方法 [P].

王丽 ;

刘秀勇 ;

马栋 ;

张继亮 .

中国专利 :CN118538673A ,2024-08-23

[7]

闪存器件浮栅多晶硅的刻蚀方法 [P].

贾红丹 ;

顾林 ;

黄铭祺 ;

王虎 ;

王震 ;

杜怡行 .

中国专利 :CN115083897A ,2022-09-20

[8]

复合多晶硅栅MOS器件及其制造方法 [P].

徐建彬 .

中国专利 :CN105390550A ,2016-03-09

[9]

多晶硅栅极刻蚀工艺 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646860A ,2014-03-19

[10]

表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法 [P].

孙娟 ;

熊磊 .

中国专利 :CN114023879A ,2022-02-08

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