多晶硅栅极刻蚀工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310613069.7

申请日：

2013-11-26

公开(公告)号：

CN103646860A

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

秦伟高慧慧杨渝书

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

竺路玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581483754 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2013106130697 申请日:20131126
2017-04-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749690032 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2013106130697 申请公布日:20140319

共 50 条

[1]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

许进 ;

唐在峰 ;

昂开渠 .

中国专利 :CN119905395A ,2025-04-29

[2]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

[3]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

唐在峰 ;

方超 ;

吕煜坤 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN102881578B ,2013-01-16

[4]

提高多晶硅栅极刻蚀工艺稳定性的方法 [P].

唐在峰 ;

方超 ;

任昱 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN103354205A ,2013-10-16

[5]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[6]

改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法 [P].

束伟夫 ;

唐在峰 ;

方超 ;

任昱 ;

张旭升 .

中国专利 :CN103346075A ,2013-10-09

[7]

刻蚀沟槽多晶硅栅的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

康志潇 .

中国专利 :CN103094087B ,2013-05-08

[8]

一种多晶硅栅极刻蚀的方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101442001A ,2009-05-27

[9]

改善刻蚀腔体养护后多晶硅栅极关键尺寸稳定性的方法 [P].

聂钰节 ;

唐在峰 ;

吴智勇 ;

任昱 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN104716033A ,2015-06-17

[10]

修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法 [P].

虞肖鹏 ;

张复雄 .

中国专利 :CN101290880A ,2008-10-22

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